半导体芯片可靠性检测-无锡瀚科检测有限公司

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半导体芯片可靠性检测

高温存储试验、温度循环试验、温湿度试验等。

可靠性测试
EOS过度电性应力/涌浪测试一般件、ESD（HBM）一般件、ESD（MM）一般件、ESD（Latch-up）一般件、Non socket CDM Orion CDM 一般件、System-level ESD test 一般件、TLP ESD test 一般件、UBHAST 非偏压高加速寿命试验、TCT 温度循环试验、BLT 偏压寿命试验、HTS 高温贮存试验 0~ 300c、LTS 低温贮存试验、THB 温湿度贮存偏压试验、PCT 高温水蒸汽压力试验、HAST 高加速寿命试验、Pre-condition-not include SAT、Solderability 沾锡试验、PTC 电源温度循环、SAT 一般件。

服务项目		描述
芯片失效分析	EMMI	失效点定位
	OBIRCH	击穿路径成像
	FIB	电路修改：0.55 um以上、电路修改：0.11-0.28 m及以上工艺（铝制程）、电路修改：0.11-0.18 um （铜制程）、电路修改: 55-90 nm、电路修改：28-40 nm、切割：IC横截面、切割：TEM样品制备
	SEM	电子成像
	EDX	元素分析
	DECAP	金线、铜线、合金
	OM	高清光学显微成像，可拼图
	AFM（C-AFM）	材料微观形貌、大小、厚度和粗糙度表征；表面电势、导电性、弹性模量、压电系数
	XPS	元素种类、化学价态及相对含量鉴别；元素或化学态表面分布分析
	TEM	材料微区观察与分析
	FIB+TEM	透射样品制祥+观察
	XRD	金属和非金属定性定量分析
	Raman	物质结构鉴定、分子相互作用分析
	椭偏仪	各种介质膜厚度及折射率
	FT-IR	样品成分、结构鉴定
芯片电学测试	静态特性参数	静态参教、特性曲线（Vd-Id, ld-Vg）
	动态特性参数	等效电容Ciss, Cosg, Crss；栅极等效电阻Rg；栅极电荷特性Qg；阻性开关特性td（on），td（off）,tr, tf；感性开关特性td（on）, td （off）,tr, tf；二极管反向恢复特性trr, Qrr；短路耐量（时间）
	热阻特性	稳态热阻、瞬态热阻
	抗静电雷击测试	二极管液涌测试仪（正向）、二极管液浦测试仪（反向）、雷击浪涌发生器、峰值电压测试设备、雷击浪涌测试设备、TLP

手???机：18036862869

电???话：0510-85388506

邮???箱：hkt@hanketest.com

网???址：www.x61d.com

地???址：江苏省无锡市新吴区景贤路52号

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